標(biāo)準(zhǔn)列表
300 mm硅單晶切割片和磨削片
關(guān)鍵詞:GB/T 29508-2013
摘 要:
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑300mm、p型、<100>晶向、電阻率0.5Ωocm~20Ωocm的硅單晶切割片和磨削片(簡(jiǎn)稱(chēng)硅片)產(chǎn)品的術(shù)語(yǔ)和定義、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑300mm直拉單晶經(jīng)切割、磨削制備的圓形硅片,產(chǎn)品將進(jìn)一步加工成拋光片,用于制作集成電路IC用線寬90nm技術(shù)需求的襯底片。
硅片平整度、厚度及總厚度變化測(cè)試 自動(dòng)非接觸掃描法
關(guān)鍵詞:GB/T 29507-2013
摘 要:
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑不小于50mm,厚度不小于100μm的切割、研磨、腐蝕、拋光、外延或其它表面狀態(tài)的硅片平整度、厚度及總厚度變化的測(cè)試。
本標(biāo)準(zhǔn)為非破壞性、無(wú)接觸的自動(dòng)掃描測(cè)試方法,適用于潔凈、干燥硅片的平整度和厚度測(cè)試,且不受硅片的厚度變化、表面狀態(tài)和硅片形狀的影響。
300 mm硅單晶拋光片
關(guān)鍵詞:GB/T 29506-2013
摘 要:
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑300mm、p型、<100>晶向、電阻率0.5Ωocm~20Ωocm規(guī)格的硅單晶拋光片的術(shù)語(yǔ)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢測(cè)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑300mm直拉單晶磨削片經(jīng)雙面拋光制備的硅單晶拋光片,產(chǎn)品主要用于滿(mǎn)足集成電路IC用線寬90nm技術(shù)需求的襯底片。
硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法
關(guān)鍵詞:GB/T 29505-2013
摘 要:
本標(biāo)準(zhǔn)提供了硅片表面粗糙度測(cè)量常用的輪廓儀、干涉儀、散射儀三類(lèi)方法的測(cè)量原理、測(cè)量設(shè)備和程序,并規(guī)定了硅片表面局部或整個(gè)區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)掃描位置圖形及粗糙度縮寫(xiě)定義。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于平坦硅片表面的粗糙度測(cè)量;也可用于其他類(lèi)型的平坦晶片材料,但不適用于晶片邊緣區(qū)域的粗糙度測(cè)量。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于測(cè)量?jī)x器的帶寬空間波長(zhǎng)≤10nm。
300 mm硅單晶
關(guān)鍵詞:GB/T 29504-2013
摘 要:
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑300mm 、 p型、<100>晶向、電阻率0.5Ωocm~20Ωocm硅單晶的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉法制備的硅單晶,主要用于制作滿(mǎn)足集成電路IC用線寬0.13μm及以下技術(shù)需求的300mm硅單晶拋光片。
鋁合金預(yù)拉伸板
關(guān)鍵詞:GB/T 29503-2013
摘 要:
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鋁合金預(yù)拉伸板的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存及質(zhì)量證明書(shū)與訂貨單(或合同)內(nèi)容,適用于固溶熱處理后按1.5%~3%的規(guī)定量進(jìn)行拉伸的鋁合金板材。
硫鐵礦燒渣
關(guān)鍵詞:GB/T 29502-2013
摘 要:
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硫鐵礦燒渣的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)識(shí)、運(yùn)輸、貯存及合同(或訂貨單)內(nèi)容等。適用于硫鐵礦經(jīng)高溫焙燒產(chǎn)生的燒渣,主要用于制造鐵球團(tuán)、煉鐵。