GB/T 8760-2006砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
中文名稱：砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
英文名稱：Gallium arsenide single crystal—Determination of dislocation density
標準號：GB/T 8760-2006
標準類型CN
發布日期：2006-7-18
實施日期：2006-11-1
摘要： 本標準適用于位錯密度為0--100000個/CM 的砷化鎵單晶的位錯密度的測量。檢驗面為[111]面和[100]面。
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