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中文名稱：硅片電阻率測(cè)定　擴(kuò)展電阻探針?lè)?

英文名稱：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 6617-2009

標(biāo)準(zhǔn)類型CN

發(fā)布日期：2009-10-30

實(shí)施日期：2010-6-1

摘要：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片電阻率的擴(kuò)展電阻探針測(cè)量方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量晶體晶向與導(dǎo)電類型已知的硅片的電阻率和測(cè)量襯底同型或反型的硅片外延層的電阻率，測(cè)量范圍:10 Ωcm～10 Ω·cm。

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