韩国一区二区视频,黄色不卡一区,久久天堂av综合合色,中文字幕日韩专区

中文名稱：半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法　非接觸渦流法

英文名稱：Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge

標準號：GB/T 6616-2009

標準類型CN

發布日期：2009-10-30

實施日期：2010-6-1

摘要：本標準規定了用非接觸渦流測定半導體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。 本標準適用于測量直徑或邊長大于25mm、厚度為0.1mm～1mm的硅單晶切割片、研磨片和拋光片（簡稱硅片）的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測量薄膜薄層電阻時，襯底的有效薄層電阻至少應為薄膜薄層電阻的1000倍。

>> 更多信息及訂購