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中文名稱：用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價(jià)多晶硅棒的規(guī)程

英文名稱：Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 29057-2012

標(biāo)準(zhǔn)類型CN

發(fā)布日期：2012-12-31

實(shí)施日期：2013-10-1

摘要：本標(biāo)準(zhǔn)包括多晶硅棒取樣、將樣品區(qū)熔拉制成單晶以及通過光譜分析法對拉制好的單晶硅棒進(jìn)行分析以確定多晶硅中痕量雜質(zhì)的程序。這些痕量雜質(zhì)包括施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)及碳雜質(zhì)。 本標(biāo)準(zhǔn)中適用的雜質(zhì)濃度測定范圍：施主和受主雜質(zhì)為（0.002～100）ppba（十億分之一原子比），碳雜質(zhì)為（0.02～15）ppma（百萬分之一原子比）。樣品中的這些雜質(zhì)是通過低溫紅外光譜法或光致發(fā)光光譜法分析的。 本標(biāo)準(zhǔn)僅適用于評價(jià)在硅芯上沉積生長的多晶硅棒。

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